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陈土培,新加坡南洋理工大学电气及电子工程学院副教授、博士生导师,于2004年获授予终生教席。主要研究领域为:

1)微纳米电子学(超大规模集成电路技术中的纳米级CMOS器件及可靠性、工艺集成;下一代芯片內部的纳米级光学互联技术,包括硅基光发射器件及纳米级的光波导);

2)新型半导体存储器 (基于纳米晶体的闪烁式存储器 Flash memory, 阻变式随机存储器RRAM 或ReRAM, 其他非挥发性存储器包括WORM、diode memory, 以及超低能耗单晶体管动态随机存储器one-transistor-DRAM等);

3)阻忆器件Memristor及其在硅基人工神经网络上的应用;

4)柔性电子器件及金属氧化物透明电子器件 (在柔性衬底上制造薄膜晶体管及薄膜型存贮器用于RFID、电子纸等应用, 用于平板显示及高分辨率触屏的高迁移率氧化物薄膜晶体管, 等);

5)纳米光子学及节能科技(全息透明显示膜、节能膜、太阳光热致变色膜、电致变色膜、太阳全光谱吸收瞙及水净化应用, 等) 。

发表超过 410 篇研究论文(包括超过280篇 SCI研究论文、超过130篇学术会议论文),一部英文专著,以及 4部英文专著中的 6个篇章。申报了10项美国专利以及12项非公开发表的技术(Technology Disclosures) 。

先后指导了 21名博士后研究人员、27 名博士生、10名工程或理学硕士。

作为PI和Co-PI参与的科研项目经费共约6亿元人民币。